P1030332
246 M.Polowczyk, E.Klugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE
Rys. 6.28. Malosygnalowc schematy zastępcze typu mieszane-* tranzystora bipolarnego: a) w konfiguracji WB, b) w konfiguracji WC
W analizie małosygnałowej układów liniowych tranzystor często jest traktowany jako czwómik. Wrota wejściowe takiego czwómika niekiedy oznacza się cyframi 1 -1, natomiast wrota wyjściowe - cyframi 2-2, zaś napięcia i prądy (patrz rys.6.29) odpowiednio przez: Ij, Uj, I2 i U2.
Rys. 6.29. Schemat oznaczeń wrót oraz prądów i napięć czwómika jako maiosygnalowego schematu zastępczego tranzystora
Dolne zaciski wrót czwómika zastępczego są połączone. Stanowią one wyprowadzenia wspólne tranzystora: emiter w konfiguracji WE, bazę w konfiguracji WB i kolektor w konfiguracji WC.
Właściwości tranzystora jako czwómika opisują [_ macierze parametrów h, y, z lub inne. Jedną z częściej
stosowanych jest macierz mieszana h, zdefiniowana dla czwómika liniowego równaniem:
h 1 “
(6.100)
gdzie:
II
21
Macierze parametrów określa się odrębnie dla każdej konfiguracji tranzystora. Dla oznaczenia konfiguracji symbolom macierzy i parametrów przydaje się indeksy: e - dla konfiguracji WE, np. h2jeł b - dla konfiguracji WB, np. h21t,. c * dla konfiguracji WC, np. h2jc- Wartości poszczególnych parametrów ustala się eksperymentalnie lub analitycznie na podstawie małosygnałowych schematów zastępczych.
Metoda eksperymentalna polega na pomiarze odpowiednich składowych zmiennych prądów i napięć tranzystora przy zwartych lub rozwartych jednych wrotach tranzystora. Przykładowo, parametr h2ł możemy określić mierząc prądy Ij i I2 oraz obliczając zgodnie z wzorem
Io "
h2i--’przy U2=0 (6.102)
Warunek U2=0 oznacza zwarcie wrót wyjściowych (2*2) tak dużą pojemnością, że wartość składowej zmiennej napięcia wyjściowego tranzystora staje się pomijalnie mała.
W metodzie analitycznej postępujemy zgodnie z zasadami ogólnie znanymi z teorii obwodów elektrycznych, bazując na znajomości wartości elementów schematu zastępczego tranzystora. Dla przykładu wyznaczmy jeden z najbardziej popularnych parametrów tranzystora: h2]e, który jest znany pod nazwą "zwarciowy współczynnik wzmocnienia prądowego tranzystora w konfiguracji WE". W tym celu posługujemy się schematem zastępczym mieszane-rt dla konfiguracji WE, uproszczonym pizez pominięcie rezystancji szeregowych emitera i kolektora (rys.6.30).
Przy zwarciu zacisków 2-2 pomiędzy prądami I2 i I, zachodzi relacja
(6.103)
Ił mk gm-j(ł)CC m|| i)
MlJj-0 lb lu^-0 Sbc+i(0(CdE + CjE + Cc)
O Należy zwrócić uwagę, że w katalogach często podaje się parametr b>jg obok hjj,. Parametr bjnw odróżnieniu od hjj, jest parametrem staloprądowym, definiowanym następująco
Wyszukiwarka
Podobne podstrony:
76883 P1030328 238 M.Polowczyk. E.Klugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE Rys. 6.23. Ładunkowy schemat
P1030317 216 M.Polowczylc, E.Klugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE Rys. 62. Symbole tranzystorów n-p
P1030341 264 M.Polowczyk, E.Klugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE Właściwości dynamiczne tranzystora
P1030352 284 M.Polowczyk. E.KJugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE a) b) Rys.658. Typowa zależność
20022 P1030336 254 M.Polowczyk. EKIugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE Rys. 633. Przykłady struktur
P1030352 284 M.Polowczyk. E.KJugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE a) b) Rys.658. Typowa zależność
15914 P1030342 266 M.Polowczyk, E.KIugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE Rys. 6.40. Zależność pojemno
więcej podobnych podstron