Laboratorium Elektroniki cz I 9
214
2. Wyprowadzić wzory na wzmocnienia ku i ki oraz rezystancje Rwe i Rwy dla wtórnika emiterowego.
3. Wyjaśnić zasady doboru punktu pracy tranzystora we wzmacniaczu rezystancyj-nym.
4. Wymienić i omówić sposoby stabilizacji punktu pracy tranzystora. Porównać te sposoby pomiędzy sobą.
5. Uzasadnić dopuszczalność stosowania przy projektowaniu wzmacniaczy rezy-stancyjnych założenia, że yl1e = y22e = 0.
6. Obliczyć wzmocnienie k^ i kif oraz rezystancje Rwe i Rwy dla wzmacniacza rezy-stancyjnego z rys. 11.5a dla danych: Re = 200 £1, Rc = 2 k£l, RG = 50 Cl, R0 = », hne = 2 k£2, hi2e = 8-1 o-4, h2ie — 200, h22e = 35 pS.
7. Obliczyć wzmocnienie k^ i kjf oraz rezystancje Rwe i Rwy dla wzmacniacza rezy-stancyjnego z rys. 11.7a dla danych: Rc = 5 kCl, Rf = 20 kft, RG = 10 kCl. Pozostałe dane takie jak w zadaniu 6.
8. Obliczyć wzmocnienia k^ i kif oraz rezystancje Rwe i Rwy dla wzmacniacza przedstawionego na rys. 11.9. Dane: Re = 200 Cl, RG = 10 kCl, RF = 20 kCl, - tranzystor jak w zadaniu 6.
9. Zaprojektować układ wg rysunku 11.1 Oa tak, aby uzyskać: Uf = 150 V/V, fd = 20 Cl. Dane tranzystora w zadaniu 6. Przyjąć: RG = 50 Cl, R0 = 5 kCl.
10. Wyprowadzić wzory na dolną częstotliwość graniczną dla kondensatorów sprzęgających we wzmacniaczu ze sprzężeniem napięciowym (rys. 11.10b).
Rys. 11.13. Wzmacniacz do zadania 11
Misie
powered b;
11. Obliczyć i wykreślić częstotliwością charakterystykę ampIitud.-fi-cru-a^a" o schemacie wg rys. 11.13. Dane: RG = 10 k£ź, Rs = 300 k£2, C = 5 nF, Ci = C2 = 5 pF, Rb = 1 M£2, Rc = 5 R0 = 10 kQ, h2ie = 100, Ucc = 12 V.
12. Omówić i wyjaśnić zasady działania ujemnego sprzężenia zwrotnego.
11.4. Aparatura pomiarowa
Na stanowisku znajduje się model jednostopniowego wzmacniacza rezystancyj-nego, umożliwiający wszechstronne przebadanie jego właściwości. Schemat ideowy przedstawiono na rys. 11.14. Wartości rezystancji poszczególnych rezystorów można zmieniać w następujących granicach: RB = 100 k£2 - 1,4 MCI, Rc = 0,5 - 20 k£2, Re = 0 - 2 kO, Rs = 20 - 600 kft. Oprócz tego modelu zawiera dwa rezystory o stałych wartościach: = 10 kQ i R2 = 100 Q. Oprócz modelu na stanowisku znajdują
się następujące przyrządy pomiarowe: generator napięć sinusoidalnych, oscyloskop, dwa woltomierze elektroniczne, opornica dekadowa i amperomierz.
O-o
Rys. 11.14. Model wzmacniacza rezystancyjnego
11.5. Program ćwiczenia
1. Dobrać punkt pracy tranzystora tak, aby uzyskać największe nie zniekształcone napięcie wyjściowe. Zwrócić uwagę na wpływ rezystancji źródła na kształt napięcia wyjściowego. Zmiany rezystancji źródła modelować za pomocą rezystorów R! i R2.
Wyszukiwarka
Podobne podstrony:
Laboratorium Elektroniki cz I 9 214 2. Wyprowadzić wzory na wzmocnienia ku i k
Laboratorium Elektroniki cz I 9 114 114 • Czułość na zmiany mocy strumienia świe
Laboratorium Elektroniki cz I 9 174 Zająć i wykreślić charakterystykę tiG = fOcr) dla dwóch różnyc
Laboratorium Elektroniki cz I 9 542.2.2. Charakterystyki statyczne tranzystora w układzie OB Chara
Laboratorium Elektroniki cz I 9 154 Rys. 7.13. Dryft napięcia emiter - baza UEb w funkcji temperat
Laboratorium Elektroniki cz I 9 174 Zająć i wykreślić charakterystykę tiG = fOcr) dla dwóch różnyc
Laboratorium Elektroniki cz I 9 Rys. 11.1. Układ wzmacniacza ze źródłem sygnału (Eg, Zg) i obciąże
więcej podobnych podstron