53

54

lVig.ędAl*Jcvr

T-T.

(IB.Sł

W* *

CS ,2

•V’

- -2.3 -V/X

OS. 6)

^ucs-

■”T

oraz prryJ«*Jv U^OOO O • 0.7 V. olrzyacjeuy I_C1(300 KI - 5.2 a4. U^OOO KI - 3.7 V; l_c,<270 K» • 3.4 mk. 11^(270 *> - «.» V.

Prjyjnuj4= blpet«tyra>le. Z* tranzystor T₂ nl« Jest nnuycooy. aozaay Odpisać

V-⁴’⁰*' -iW-

-2,0 V

(18.1) (IB.2)

(16.3)

(16.4)

“o *1*^0    °<r-^,ci\n-^ł,K2

*« • ^ł«" T5" •    ----^

(16 71

^UCQ " ^UCC ‘ ^!C2^ł W Poda lawlaj^c wartottci liczbowe otrzya-jjeay

1^(300 Ił - 10.6 ■*, U^OOO C) - 2.6 V;

1_Q(270 KI - 18.6 aA (71.    1^(270 C) - -4.6 V (7).

Clr-rymna dla temperatury 270 K narto*; 11^ wszaruj* na nasycenie tranzystora I Jeut oczywiści* Dlepoprawra (Bowlra w nasycanie nie zachodzi wykorzystywana w obliczeniach zalozzotc. * J^ł. V rzecrywlatoecl napięcie    będzie

wynosić ok 0.2 ... 0.4V (napięcia nasycenia}, e pr^d »zy 1_K będzie na tyle duży. Je spowoduje zanlojiunlc napięcia U_C).

Odpe wledZ 18

ej • 800 0; 0^ - 4.5 Yj tranzystor pracuj* w obalana nasycania, bl Rg - 320 £Ł tljjg - 6,2 Y.- tranzystor pracuje w obsiana nasycania

Hozwlęzanl* I0«

Posługując Się przytoozonya w zadaniu rOutianlea wyznaczają

«u*. P.14.1

Ponlowat prąd upływu hraażl Jeat rzędu n/. napięcie U,. • lęRę będzie czyli pr-uktytranlo U_c * 0. Zatea

^U* " »«fc * -^8

2.0

2.5*10"⁵

- 800 2

rzędu aV.

(16.8) 1 Ib.8)

łłaplęde wyrosi

^yos - ^uco -

vvv

(16 7)