Laboratorium Elektroniki cz I 4

64

4.    W. Golde: Wzmacniacze tranzystorowe. WNT, Warszawa 1975, s. 11-48, 120-126, 128-142.

5.    Encyklopedia techniki. Tom: Elektronika. WNT, Warszawa 1983.

6.    J. Kołodziejski, L. Spiralski, E, Stolarski: Pomiary przyrządów półprzewodnikowych. WKŁ, Warszawa 1990.

Ćwiczenie 3

TRANZYSTOR BIPOLARNY (część 2)

3.1. Cel ćwiczenia

Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z: właściwościami tranzystora w układzie OE, podstawowymi parametrami technicznymi tranzystora dla pracy w układzie OE. Program ćwiczenia obejmuje wyznaczanie charakterystyk statycznych i prądów zerowych oraz wykorzystanie wyników tych pomiarów do wyznaczania parametrów modeli tranzystora. Jest on kontynuacją programu ćwiczenia. „Tranzystor bipolarny - cz. 1".

3.2. Wprowadzenie

3.2.1. Charakterystyki statyczne w układzie OE

W układzie wspólnego emitera OE rozpatrywanego jako czwórnik (rys. 2.2) mamy następujące przyporządkowanie prądów I napięć:

= Ib, I2 = le, Ui = Ube. U2 = Uce- Interesują nas więc następujące rodziny charakterystyk:

Analityczna postać równań mieszanych dla układu OE, otrzymana na podstawie °9ólnej teorii tranzystora bipolarnego w stanie statycznym, jest następująca:

Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
74410 Laboratorium Elektroniki cz I 4 184 6.    Czy wartości czasów przełączeń diod
Laboratorium Elektroniki cz I 4 44 1.2.10. Tranzystor w połączeniach diodowych W bipolarnych układ
Laboratorium Elektroniki cz I 4 104 7.    Dla tranzystora z wyprowadzonym podłożem
Laboratorium Elektroniki cz I 4 Różnicowa rezystancja wejściowa Jest to rezystancja Ra występująca
85932 Laboratorium Elektroniki cz I 4 104 7.    Dla tranzystora z wyprowadzonym pod

więcej podobnych podstron