85932 Laboratorium Elektroniki cz I 4
104
7. Dla tranzystora z wyprowadzonym podłożem zdjąć charakterystykę Id = f(Ues). Pomiar przeprowadzić dla Uds = const oraz dla co najmniej trzech wartości napię-cia Ugs (w tym Ugs = 0).
8. Zmierzyć rezystancję wejściową tranzystora w układzie przedstawionym na rys. 5.6.
Rys. 5.6. Układ do pomiaru charakterystyk statycznych
Aby zmierzyć rezystancję wejściową, należy do układu włączyć kondensator C, a następnie rozewrzeć układ w punkcie A. W celu oszacowania rezystancji wejściowej należy obserwować przebieg prądu drenu w czasie, dokonując pomiaru dwóch wartości:
Idi - w czasie ti,
Id2 - w czasie t2.
Następnie z uzyskanej uprzednio charakterystyki przejściowej Id = f(UQs) dla Uds = const odczytać odpowiednie wartości Ugsi i Uqs2. Rezystancję wyznaczyć ze wzoru:
R = *2 f/1 ~ (5.9)
Cln-^SL
UGS2
5.6. Tematy do opracowania
1. Wyniki pomiarów z punktów 2-7 przedstawić na wykresach.
2. Dla obranego punktu pracy (w obszarze dozwolonym) wyznaczyć z charakterystyk parametry gm, gdsi 9b*
3. Wyznaczyć wartości parametrów statycznych: lDSS, Uoss. roS(OFF)-
4. Obliczyć i wykreślić zmiany transkonduktancji gm w całym przebadanym zakresie nasycenia - z charakterystyk statycznych i korzystając ze wzoru (5.6). Ustosunkować się do uzyskanych wyników.
5. Porównać charakterystyki otrzymane normalnie i po zamianie miejscami drenu ze źródłem. To samo dotyczy parametrów statycznych i małosygnałowych.
6. Na podstawie pomiarów z p. 6 obliczyć i wykreślić oporność R0s = f(UDs)-
7. Obliczyć oporność wejściową.
8. Scharakteryzować przebadane tranzystory wykorzystując wyniki pomiarów i dane katalogowe.
5.7. Literatura
1. W. Marciniak: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone. WNT, Warszawa 1984, s. 343-365.
2. W. Marciniak: Przyrządy półprzewodnikowe typu MIS. WNT, Warszawa 1977.
3. K. Waczyński: Przyrządy półprzewodnikowe. Skrypt Pol. Śl. nr 2022. Gliwice 1997.
4. Encyklopedia techniki. Tom: Elektronika. WNT, Warszawa 1983.
5. J. Kołodziejski, L. Spiralski, E. Stolarski: Pomiary przyrządów półprzewodnikowych. WKŁ, Warszawa 1990.
Wyszukiwarka
Podobne podstrony:
Laboratorium Elektroniki cz I 4 104 7. Dla tranzystora z wyprowadzonym podłożem
Laboratorium Elektroniki cz I 4 44 1.2.10. Tranzystor w połączeniach diodowych W bipolarnych układ
Laboratorium Elektroniki cz I 4 ijs2e nai ra"i- eCi Rys.
Laboratorium Elektroniki cz I 4 124 totyrystorze zawiera się w granicach 103-104, a czasy przełącz
74410 Laboratorium Elektroniki cz I 4 184 6. Czy wartości czasów przełączeń diod
55350 Laboratorium Elektroniki cz I 4 124 totyrystorze zawiera się w granicach 103-104, a czasy pr
Laboratorium Elektroniki cz I 4 64 4. W. Golde: Wzmacniacze tranzystorowe. WNT,
więcej podobnych podstron