Laboratorium Elektroniki cz I 4
204
Należy dodać, że sprzężenie emiterowe jest skuteczne przy stosunkowo małych wartościach rezystancji źródła RG i obciążenia R0, tzn. przy sterowaniu napięciowym (Rq « O) i w stanie bliskim zwarcia na wyjściu.
W układzie przedstawionym na rys. 11.7 ujemne sprzężenie zwrotne jest zrealizowane za pomocą rezystancji Rf włączonej pomiędzy kolektor i bazę tranzystora. Podajemy w ten sposób część napięcia wyjściowego na wejście wzmacniacza. Poniżej zestawiono w analogiczny sposób parametry wzmacniacza objętego pętlą sprzężenia kolektorowego.
Rys. 11.7. Wzmacniacz rezystancyjny OE ze sprzężeniem kolektorowym
Wzmocnienie napięciowe Kuf
Sprzężenie kolektorowe powoduje zmniejszenie wzmocnienia napięciowego wzmacniacza do wartości danej wyrażeniem:
U
R,
1 + —k
R
U
^21e
^lle
Przy wartości rezystancji RG = 0 wzmocnienie układu będzie takie samo jak przy braku sprzężenia zwrotnego. Stąd wynika wniosek, że aby to sprzężenie było skuteczne, to rezystancja źródła RG powinna być odpowiednio duża.
W przypadku silnego sprzężenia zwrotnego, tzn. gdy spełniony jest warunek, że rezystancja źródła RG ma ten sam rząd wielkości co rezystor RF, to wzmocnienie napięciowe zależy tylko od stosunku tych rezystancji:
Również w tym przypadku uzyskano pełne uniezależnienie się od parametrów tranzystora! Należy pamiętać, że rezystor RF nie może mieć zbyt małej rezystancji w porównaniu z rezystorem Rc, gdyż wówczas nawet bez sprzężenia zwrotnego wzmocnienie napięciowe będzie małe. Jednocześnie rezystor RF nie może mieć zbyt dużej wartości względem rezystancji h11e, ponieważ sprzężenie przestaje wówczas działać.
Praktycznym kompromisem jest dobór RF « Rc ~ h11e.
Wzmocnienie prądowe Kjf
Wzmocnienie prądowe również ulega zmniejszeniu zgodnie ze wzorem (11.16). W sytuacji gdy spełnione są warunki dla uzyskania silnego sprzężenia zwrotnego wyrażenie:
ki ki
k-r = -« -*— ~
21e
-h
if 1 + Bk K K
' ' + t 1 + h21e^0 + h22eRc) upraszcza się do postaci (11.17):
(11.17)
k - Rf
kif~ rT
z której wynika, że zależy ono jedynie od stosunku rezystorów Rf i Rc, a więc i tutaj istnieje pełne uniezależnienie się od parametrów tranzystora.
Rezystancja wejściowa Rwet
Oddziaływanie sprzężenia kolektorowego objawia się poprzez spadek wartości rezystancji wejściowej wzmacniacza tyle razy, ile razy obniżyła się wartość współczynnika wzmocnienia prądowego K,f. Wyrażenie:
(11.18)
można interpretować jako dołączenie pomiędzy bazą a masą, a więc równolegle do
\
rezystancji wejściowej tranzystora hne rezystora o wartości Rf /-^iŁ
I le
rcIIt—Hrf
22e
a więc rezystora sprzężenia zwrotnego RF podzielonego przez wzmocnienie układu z otwartą pętlą sprzężenia zwrotnego (rys. 11.8).
Wyszukiwarka
Podobne podstrony:
Laboratorium Elektroniki cz I 4 204 204 rr,a
Laboratorium Elektroniki cz I 4 144 7.2.4. Złącze p-n Wykonane w materiale półprzewodnikowym złącz
Laboratorium Elektroniki cz I 4 84 w przypadku kanału typu p odpowiednio napięcie Uos ze znakiem -
Laboratorium Elektroniki cz I 2 20 Należy zwrócić uwagę, że w tym przypadku wartość błędu zależy o
Laboratorium Elektroniki cz I 4 44 1.2.10. Tranzystor w połączeniach diodowych W bipolarnych układ
Laboratorium Elektroniki cz I 4 84 w przypadku kanału typu p odpowiednio napięcie Uds ze znakiem -
Laboratorium Elektroniki cz I 4 124 totyrystorze zawiera się w granicach 103-104, a czasy przełącz
więcej podobnych podstron