- 298 -

- 299 -

Łatwo można zauważyć, te:

^U2 " ^V2 - ^V3’

^h1 2^V2    ~ ^hl 2^^vl

~^_kn

(2)

Podstawiając zależności (2) do (1) i dokonując prostych przekazt > gsbraicznych dostaniemy    ^Cen

⁺    "*77 ~ *77 ¹¹ " ^hi2^}

^{+ h}22⁺ K77 - H77⁺ H77<¹ -N ₂)+j^c]

(3)

,₀b«^c

tego:

&j)

Parane try

.„aojcb zależności:

K(j100) « ^ « 42,65 e^-3116 ,

u_Q(t) - 426,5 sindOOt - 116°) mV. macierzy admitancyjnej £ tranzystora obliczymy na podstawie

1T©

(D

©

u f^c

^yn °    = °*^{67 nS}*

Y21 ■ tr¹ = 33,33 mS, ⁿ11

(6)

Rya. 3.55.4

,, det h ^ _n

Y22 = T- ~ °*

ⁿ11

Obwód z rys. 3.55 traktujemy, jako obwód z wielobiegunnikami (rya.3.55.4), stdrego parametry macierzy admitancyjnej określs się zależnościami (6). W celu otrzymania równań potencjałów węzłowych obwodu obliczamy:

=i macierz admitancyjną obwodu bez wielobiegunnika

Podstawiając dane do (3), otrzymamy

14)

Ha podstawie (4) obliczymy

^Uo " ^V2 “ “T ^{= 42}-^{65 e}

„-j116°

S,

(5)

1

—³-r-'+ir

^R1 ⁺ 2

1

*7

u

•^eierz admitancyjną wielobiegunnika

•p + j cuC

^R3

gdzie:

d - (1,36 + j 0,09)0,1 (35 + j 5) - 2,63 e^J22’²¹ * d₂ - -B 0,66 e^J7'⁵⁹°133,33(35 + J5) - 33,33 . 34] - 112,17 •'

■J93

,72

⁷ * *11 + ?12 ^{+ y}21 ^{+ y}22*